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2月26日，长城无锡芯动半导体“第三代半导体模组封测项目”正式动工，标志着芯动半导体“第三代半导体模组封测项目”迈出了产业化的关键一步。

据了解，该项目总投资8亿元，建筑面积约30000㎡，规划车规级模组年产能120万套，预计在2023年9月具备设备全面入厂条件，最快于今年年底投入量产。

当前，随着智能电动汽车的快速发展，对功率半导体的需求正大幅提升。据相关分析数据显示，从燃油车到纯电动汽车，单车半导体价值量将从457美元提升至834美元，单车价值量增长最大的排序依次为：功率半导体>传感器>MCU（主控）。其中功率半导体的单车价值量，从燃油车到新能源汽车有望实现数倍增长，达到约450美元。

从功率器件种类来看，目前新能源汽车功率半导体以硅基的IGBT、MOSFET为主，但由于以SiC、GaN等为代表的第三代半导体材料在高压的系统中有更好的性能体现，相比硅基器件具有耐高压、耐高温、功耗低、体积小、重量轻等显著优势，被普遍认为将逐步替代部分IGBT、MOSFET等硅基功率半导体,在新能源汽车领域得到广泛应用。据TrendForce研究数据显示，随着越来越多车企开始在电驱系统中导入SiC技术，预估至2026年，车用SiC功率元件市场规模将攀升至39.4亿美元。